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磁场作用下原位聚合制备聚苯胺/纳米ZnO复合材料
首先用硅烷偶联剂(KH550)对所制备粒径在100 nm以下的纳米ZnO进行表面修饰(M-ZnO),然后在弱磁场(0.4 T)下乙醇/水/十二烷基苯磺酸(DBSA)体系中原位聚合分别制备了重均分子量达3×104的聚苯胺(PA
2013年01月09日更新
新型磁性纳米锂离子筛的合成
采用狭道式撞击流反应器,将Fe3O4爆发式成核过程与快速包覆MnCO3+Li2CO3薄膜的过程同步进行,制备出具有核壳结构的纳米Fe3O4/MnCO3+Li2CO3前驱体;然后,通过在450℃下高温焙烧和稀酸酸浸脱锂工艺得到
2013年01月09日更新
工作气压和基底偏压对ZrB2/AlN纳米多层膜结构和机械性能的影响
利用射频磁控溅射技术在不同工作气压和不同基底偏压条件下在Si(100)基底上设计合成了ZrB2/AlN纳米多层膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、纳米力学测试系统和表面轮廓仪分析了工作气压和基底偏压对薄膜的微结构和机械性能的
2013年01月08日更新
大面积铂-硅纳米线阵列的制备及其在增强甲醇电催化氧化中的应用
提出了一种室温条件下构筑铂覆盖硅纳米线阵列的有效方法。通过将种子生长法和化学沉积技术的有机结合,高质量的铂纳米结构被成功地构筑在硅纳米线阵列表面。采用扫描电镜、X-射线衍射和电化学方法对制备材料的形貌和性质进行了表征。结果表
2013年01月08日更新
镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献
2013年01月08日更新
纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性
在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀
2013年01月08日更新
油酸低温水洗改性磁性四氧化三铁纳米粒子
通过对油酸改性四氧化三铁(Fe3O4)磁性纳米粒子的制备工艺的改进研究,成功制备了分散性好、磁响应性强的平均粒径在18 nm的改性Fe3O4磁性纳米粒子,并通过X射线衍射、红外光谱、透射电镜等对制备的磁性纳米粒子进行了表征。
2013年01月08日更新
金刚石、碳纳米管、碳纳米管/纳米金刚石复合物的制备及生长机制研究
采用PECVD技术,通过对基片使用不同的预处理方法和沉积参数,合成了金刚石、碳纳米管及碳纳米管/纳米金刚石复合物.利用SEM,TEM,拉曼光谱对样品的形貌、成分和结构进行了研究.结果表明,在制备样品的过程中,基片的预处理方法
2013年01月08日更新
初始压力对气相爆轰合成纳米二氧化钛纳米颗粒的影响
介绍了利用氢氧混合气体、四氯化钛组成的多元气相系统,爆轰制备纳米二氧化钛粉体的方法。利用XRD分析证明产物为二氧化钛混晶(金红石相和锐钛矿相),晶粒尺度为纳米级。通过XRD、TEM分析可以得出,粒子形状不规则,粒度为20~1
2013年01月08日更新
TiO2纳米晶复合纳米棒染料敏化太阳能电池
通过二次水热法合成锐钛矿TiO2纳米棒（ANR）.采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）和透射电镜（TEM）等手段对其进行表征.通过调节ANR和锐钛矿纳米颗粒（ANP）的掺杂比例来增加TiO2纳米晶膜的光捕
2013年01月08日更新

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