纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

编号：NMJS03131

篇名：纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

作者：陈贵锋； 谭小动； 万尾甜； 沈俊； 郝秋艳； 唐成春； 朱建军； 刘宗顺； 赵德刚； 张书明；

关键词：纳米柱LED； 光致发光； 电致发光；

机构： 河北工业大学材料学院河北省新型功能材料实验室； 中国科学院理化技术研究所； 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室；

摘要： 在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20mA时,LED器件的工作电压为4.6V.