镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究

编号：NMJS03132

篇名：镍间隙掺杂硅纳米线电子结构的研究

作者：梁伟华； 王秀丽； 丁学成； 褚立志； 邓泽超； 郭建新； 傅广生； 王英龙；

关键词：硅纳米线； 掺杂； 电子性质； 第一性原理；

机构： 河北大学物理科学与技术学院；

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献;同时发现不同构型的Ni掺杂硅纳米线,其带隙不同,且与未掺杂硅纳米线相比,带隙普遍减小。