激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率

编号：FTJS00135

篇名：激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率

作者：战可涛 线全刚等

关键词：激光法 制备 SiC 产率 碳化硅 纳米粉体 陶瓷

机构： 北京化工大学理学院，可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室，北京100029

摘要： 以硅烷SiH4和乙烯C2H4为反应原料，采用激光诱导化学气相沉积法（LICVD）制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）及比表面积（BET）等分析测试手段对粉体进行了表征，结果表明粉体中SiC含量高于98％，平均粒径为20nm，晶体结构为β-SiC，粉体产率大于200g/h，粉体中氧含量低于1％，且主要是表面的吸附氧；从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析，在此基础上推导出了粉体率公式，与实际粉体产率基本一致。

出处：北京化工大学学报2002,29(5).-75-78