氧化石墨烯/硒化锌纳米棒异质结构的可控合成及其场发射性能研究

编号：NMJS09700

篇名：氧化石墨烯/硒化锌纳米棒异质结构的可控合成及其场发射性能研究

作者：薛绍林1,2；杜国芳1；周伟康3；韩俊伟4；吴淑贤5

关键词： ZnSe纳米棒; ZnSe纳米带阵列; 氧化石墨烯片; 场发射; 材料生长;

机构： 1.昭通学院物理与信息工程学院2.东华大学物理学院3.华虹微电子有限公司4.华力微电子有限公司5.台积电(中国)有限公司

摘要： 本文利用纳米晶种子导向水热法，在氧化石墨烯片（GOss）上生长出垂直且密集的ZnSe纳米棒。通过调整ZnSe纳米晶种子的浓度和N2H4·2H2O的添加量，可以灵活控制GOss上ZnSe纳米棒的形态。透射电子显微镜（TEM）图像表明单个ZnSe纳米棒为单晶。测量GOss上的多种ZnSe纳米棒异质结构的场发射（FE）性能，发现ZnSe纳米棒的尺寸和分布影响场发射性能。对于场发射性能，最佳ZnSe纳米结构形态是高长径比、垂直度度佳以及中等密度分布。其开启电场低至3.5 V·μm-1，场增强因子高达4486，且稳定性优良，优于GOss和密集或稀疏分布的ZnSe纳米结构的场发射性能。结果表明，ZnSe纳米结构的高长径比、氧化石墨烯（GO）的优异电学性能以及GO/ZnSe纳米棒异质结构的场发射稳定性对其场发射性能的提升起到协同作用。