制备参数对氮化钒纳米材料超电容性能的影响

编号：NMJS09631

篇名：制备参数对氮化钒纳米材料超电容性能的影响

作者：刘宏辉1,2；李冬辉1；陶鑫杰2；邱乾胜3；肖众2；钱其峰3；姜梦鑫2；孟庭宇2

关键词： 氮化钒; 制备参数; 超电容性能; 比容量; 倍率性能;

机构： 1.天津大学电气自动化与信息工程学院2.华北科技学院化工安全学院3.浙江芯能光伏科技股份有限公司

摘要： VN制备参数影响其晶粒尺寸及表面化学组成，进而影响其超电容性能。系统研究了Zn3（OH）2(V2O7)·(H2O)2还原氮化-选择性浸出制备氮化钒（VN）工艺参数对其超电容性能的影响。结果表明：降低氨气流量、缩短氮化时间、降低氮化温度可减小VN晶粒尺寸，增大电解液与VN的接触面积，提高其双电层电容；降低氮化温度，可增大VN表面V-N-O及V-O含量，提高其电化学活性；增大NH3流量、延长氮化时间、提高氮化温度，VN比容量保持率提高。综合考虑VN比容量及倍率性能，较优工艺参数为：氮化温度550～600℃、氨气流量100～200mL/min、氮化时间2～4h。