镁热还原制备硅纳米片的电化学性能

编号：NMJS09454

篇名：镁热还原制备硅纳米片的电化学性能

作者：胡敏艺 时梓垿 孙皓 陈敬波

关键词： 锂离子电池 负极材料 Si负极 二氧化硅(SiO2) Si纳米片 镁热还原

机构： 贵州轻工职业技术学院先进电池与材料工程研究中心 贵州大学化学与化工学院

摘要： 低电导率和嵌脱锂过程中的体积膨胀问题影响Si材料的电化学性能。以碳纳米管为模板,制备前驱体二氧化硅(SiO2)纳米管,再以镁粉为还原剂,通过镁热还原制备单质Si纳米片材料。探索镁热还原温度(660℃、700℃和800℃)和正硅酸乙酯(TEOS)用量(1 mL、6 mL和8 mL)对Si材料形貌和电化学性能的影响。镁热还原温度在660℃时,TEOS用量为1 mL时,单质Si纳米片结构完整,表现出较好的电化学性能:以1.0 A/g电流在0~1.5 V充放电,Si-T660材料的首次库仑效率达到86.5%,第100次循环的比容量仍保持在2168.1 mAh/g。TEOS用量为6 mL时,首次库仑效率可达到86.05%,第100次循环的比容量仍保持在1537.5 mAh/g。