锡掺杂对氧化锌纳米柱阵列结构与光电性能的影响

编号：CYYJ04300

篇名：锡掺杂对氧化锌纳米柱阵列结构与光电性能的影响

作者：汤小兰 吴振英

关键词： 锡掺杂氧化锌 光电性能 溶胶凝胶法

机构： 苏州工业职业技术学院电子与通信工程系

摘要： 选择不同的Sn浓度,以溶胶凝胶法在N型重掺杂基板上制备了系列Zn1-xSnxO(x=0.01-0.07)纳米柱样品,并在不同温度下(500℃、600℃、700℃)进行了退火热处理。利用光/暗电流测试对样品的光电性能进行了表征,发现当偏压为5V时,在600℃退火1小时后,x=0.04的样品表现出最佳的光/暗电流变化比(600%)。XRD与FE-SEM结果显示该纳米柱样品具有最大的长度以及较好的结晶度,意味着样品具有较高的结晶质量;PL测试发现x=0.04时样品缺陷浓度最小,这说明在该缺陷浓度下锡对锌进行替代时产生了更多的载流子,从而导致了最优的光电性能。