碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究

编号：CYYJ04008

篇名：碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究

作者：翟培卓 王印权 徐何军 郑若成 朱少立

关键词： 碳纳米管 场效应管 重离子 单粒子效应

机构： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

摘要： 碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)具备优良的电学性能和稳定的化学结构,表现出较强的恶劣环境耐受能力,但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对象,研究了209Bi重离子辐射引起的器件单粒子效应(SEE)。研究结果表明,在重离子辐射条件下,栅极单粒子瞬态电流大多处于10-11 A数量级,少数达10-10 A数量级;由于CNT FET具有纳米级超薄CNT沟道,漏极电流对单粒子辐射不敏感,漏极单粒子瞬态电流几乎可以忽略,无单粒子烧毁效应(SEB);得益于HfO2栅介质层,CNT FET未发生单粒子栅穿效应(SEGR),表现出较强的抗单粒子能力。