Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应

编号：NMJS09046

篇名：Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应

作者：冯世尊 俞金玲

关键词： Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应

机构： 福州大学物理与信息工程学院

摘要： 采用化学气相沉积法制备Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大。