纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究

编号：CYYJ03845

篇名：纳米氮化钛薄膜对高频陶瓷窗片二次电子发射率的影响研究

作者：赵毅红 李芳芳 王博锋 叶成聪 缪雨龙 陈海波 陈荣发

关键词： 磁控反应溅射 纳米TiN 薄膜 高频陶瓷窗片 二次电子发射率

机构： 扬州大学机械工程学院

摘要： 纳米TiN薄膜可用来抑制高频陶瓷窗片的二次电子倍增,缩短器件高功率老炼时间,提高微波发射性能。文章通过专用真空镀膜设备,采用同轴圆柱靶和平面靶的直流磁控反应溅射方法,通过优化制备工艺参数,在陶瓷窗片的表面成功制备了纳米氮化钛(TiN)薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)等现代分析手段进行了测试分析,结果表明:纳米TiN薄膜表面晶粒细小,致密度较好;晶面(111)和(200)特征衍射峰峰型规整,峰宽细窄;Ti/N原子计量比接近于1∶1。随着薄膜沉积时间增加,二次电子发射系数(SEY)逐渐增大,溅射时间8.4 s时,SEY为1.72;随着基体偏压的增加,电离效率增加,SEY不断降低,当偏压为350 V时,SEY为1.89;随着N2流量增加,SEY发生变化,当N2流量为38 mL/min时,SEY为1.83。