硅基VO_2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

编号：NMJS00685

篇名：硅基VO_2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

作者：王昌雷; 田震; 邢岐荣; 谷建强; 刘丰; 胡明列; 柴路; 王清月;

关键词：二氧化钒; 光致相变; Drude模型; THz时域频谱技术;

机构： 天津大学精密仪器与光电子工程学院; 超快激光研究室; THz中心;

摘要： 利用THz时域频谱技术(THz-TDS)研究了硅基二氧化钒(VO2)纳米薄膜的光致绝缘体—金属相变特性.在连续光激发下前后,观察到了非常明显的THz透过率变化,并通过薄膜近似计算出了THz波段金属态VO2薄膜的电导率.根据实验结果建立了金属态VO2薄膜的等效Drude模型,得到了复电导率,复电容率以及复折射率等相关的基本参数,并通过基于时域有限积分法模拟了THz波穿透硅基金属态VO2薄膜的过程,验证了所建立的模型的正确性,为研究VO2薄膜的相变特性以及VO2薄膜在THz波段的应用提供了参考.