沉积温度和碳纳米管对CVD SiC涂层微观形貌的影响

编号：NMJS00676

篇名：沉积温度和碳纳米管对CVD SiC涂层微观形貌的影响

作者：张翔; 李军; 廖寄乔; 谭周建;

关键词：炭/炭复合材料; CNT-SiC复合涂层; 碳纳米管; CVD;

机构： 中南大学粉末冶金国家重点实验室;

摘要： 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)为前驱体,采用化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD),在原位生长有碳纳米管(Carbon nanotubes,CNTs)的C/C复合材料表面制备SiC涂层。用扫描电镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)观察和分析涂层微观形貌及成份。研究沉积温度(1 000~1 150℃)对SiC涂层的表面、截面以及SiC颗粒的微观形貌的影响。结果表明:在1 000℃下反应时,得到晶须状SiC;沉积温度为1 050℃时涂层平整、致密;沉积温度提高到1 100℃时,涂层粗糙,致密度下降;1 150℃下形成类似岛状组织,SiC颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低。对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,SiC涂层和基体之间结合良好。