一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔

编号：CYYJ03237

篇名：一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔

作者：关文博 吕红亮 张玉明 张义门

关键词： 碳纳米管硅通孔 差分信号传输 等效电路模型 噪声干扰 时域特性

机构： 西安电子科技大学微电子学院

摘要： 针对三维集成电路中各层之间的I/O限制问题,提出了一种新型的三位碳纳米管TSV。首先利用HFSS软件对三位CNT TSV各寄生参数进行了数值计算,与基于理论的数值计算相比,具有较高的精度,各寄生参数的误差大小在3%以内。在ADS中搭建了该结构的等效电路模型,并仿真得出了它的S参数,与HFSS的S参数仿真结果相比误差在1.2%以内。然后基于三位CNT TSV的概念,提出了新的差分型多位CNT TSV。与传统GSSG型TSV以及两种新型双位TSV(G-SS-G型和GS-SG型)相比,所提出的差分型多位CNT TSV节省了芯片面积,提高了集成密度,且具有优越的抗干扰能力和更好的时延性能。最后,对所提出TSV结构进行时域眼图仿真,表明新结构具有良好的信号完整性。