镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

编号：NMJS00531

篇名：镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究

作者：梁伟华; 丁学成; 褚立志; 邓泽超; 郭建新; 吴转花; 王英龙;

关键词：硅纳米线; 掺杂; 电子结构; 光学性质;

机构： 河北大学物理科学与技术学院;

摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和Si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.