多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线

编号：NMJS00523

篇名：多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线

作者：杨玮; 吕小毅; 吴荣; 郑毓峰; 孙言飞; 简基康;

关键词：化学气相沉积法; GaN; 纳米线; 多孔硅;

机构： 新疆大学物理科学与技术学院; 西安交通大学电子与信息工程学院;

摘要： 采用化学气相沉积(CVD)法,在1050℃的温度下,以多孔硅(PS)为衬底,成功地制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)和光致发光(PL)谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析.研究结果表明,产物为六方纤锌矿结构的GaN纳米线,纳米线的直径范围为30nm到100nm,长度达几十微米,位于376.2nm处有一带边发射峰,在435.8nm处有一个因缺陷引起的弱发光峰.最后简单讨论了制备GaN纳米线的相关化学反应和生长机制.