一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究

编号：NMJS00478

篇名：一维二氧化硅纳米材料紫外吸收光谱理论研究

作者：许莹; 徐灿;

关键词：SiO2纳米材料; 紫外吸收光谱; 羟基; 含时密度泛函;

机构： 中国民航大学基础实验中心; 兰州大学物理科学与技术学院;

摘要： 运用含时密度泛函B3LYP方法6-31G(d)基组水平上,计算了二氧化硅一维纳米材料单链(1NL)、双链(2NL)以及含羟基单链(1NLW)、双链(2NLW)与尺寸相关的电子吸收光谱,并从电子结构和态密度角度对其进行分析。无羟基结构的紫外吸收光谱较强峰的频率随尺寸减小红移,含羟基结构随尺寸减小明显蓝移。分析表明羟基上的H与Si相互作用使分子未占据轨道能量明显升高,造成结构吸收光谱随尺寸变小蓝移,羟基的加成可以改变二氧化硅纳米结构的光学性质。紫外吸收光谱研究以及对羟基作用的确定对SiO2纳米材料的深入研究具有指导意义。