电催化金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线/多孔硅复合结构

编号：NMJS07970

篇名：电催化金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线/多孔硅复合结构

作者：陈力驰 王耀功 王文江 麻晓琴 杨静远 张小宁

关键词： 电化学 金属辅助化学刻蚀法 硅纳米线 多孔硅 场发射

机构： 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 西安交通大学电子科学与工程学院 生态环境部核与辐射安全中心

摘要： 量子限制效应使硅纳米线具有良好的场致发射特性,结合多孔硅的准弹道电子漂移模型可提高场发射器件的性能。传统的金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线的效率较低,本研究在传统方法的基础上引入恒流源,提出电催化金属辅助化学刻蚀法,高效制备了硅纳米线/多孔硅复合结构。在外加30 mA恒定电流的条件下,硅纳米线的平均制备速率可达308 nm/min,较传统方法提升了173%。研究了AgNO3浓度、刻蚀时间和刻蚀电流对复合结构形貌的影响规律;测试了采用电催化金属辅助化学刻蚀法制备样品的场发射特性。结果显示样品的阈值场强为10.83 V/μm,当场强为14.16 V/μm时,电流密度为64μA/cm2。