激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

编号：NMJS00436

篇名：激发频率对高氢稀释下纳米晶硅薄膜生长特性的影响

作者：宋捷; 郭艳青; 王祥; 丁宏林; 黄锐;

关键词：等离子体增强化学气相沉积; 高氢稀释; 纳米晶硅;

机构： 韩山师范学院物理与电子工程系;

摘要： 利用等离子体增强化学气相沉积技术,在高氢稀释条件下,研究不同激发频率对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.剖面透射电子显微镜(TEM)分析结果显示,不同激发频率下制备的纳米晶硅薄膜晶化区均呈锥状结构生长,但13.56MHz激发频率下制备的纳米晶硅薄膜最初生长阶段存在非晶态孵化层,即纳米晶硅薄膜的形成经历了由非晶态孵化层到晶态结构层的转变.而高激发频率(40.68MHz)下硅纳米晶则能直接在非晶态衬底上生长形成.Raman谱和红外吸收谱测量结果表明高激发频率(40.68MHz)下制备的纳米晶硅薄膜不但具有较高的晶化率,而且具有较低的氢含量和较小的微结构因子。