硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能

编号：CPJS06433

篇名：硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能

作者：蒋梅燕 朱政杰 陈成克 李晓 胡晓君

关键词： 纳米金刚石薄膜 硫离子注入 电化学性能 微结构

机构： 浙江工业大学材料科学与工程学院

摘要： 采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解;X射线光电子能谱结果表明,此时C-O键、C=O键、p-p*含量显著增多;Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm~2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品.