NiO纳米线阵列紫外光电特性

编号：CPJS05289

篇名：NiO纳米线阵列紫外光电特性

作者：相文峰[1,2] ;蔡天宇[1,2] ;黄晓炜[1,2] ;赵重阳[1,2] ;王鑫[1,2]

关键词：紫外光探测器 NiO/Ni壳层纳米线 纳米线阵列 紫外光电效应 响应度

机构： [1]中国石油大学(北京)油气光学探测技术北京市重点实验室,北京102249; [2]中国石油大学(北京)光传感与光探测实验室,北京102249

摘要： 通过电化学沉积及退火处理制得NiO纳米线,并制备出了NiO纳米线阵列紫外光电导探测器。扫描电子显微镜测试发现制备出的纳米线非常均匀,长度约为50μm。X射线衍射测试表明氧化退火后形成的NiO是多晶立方相结构;同时,Ni纳米线并没有被完全氧化,而是形成了一个NiO/Ni壳层结构。在外加1 V偏压下,暗电流为0.92μA,光电流为19.1μA,光电流约是暗电流的20倍;在0.3 mA偏流下,探测器的暗电压约为紫外光照下光电压的2.5倍,响应时间为1.6 s,延迟时间为6 s。探测器光暗电压差在0-1.1 W/cm^2光照强度范围内是线性变化的,响应度为6.4 V/W。同时,探讨了NiO/Ni壳层纳米线阵列的光电效应工作机理。