Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

编号：FTJS00311

篇名：Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

作者：张建荣 顾达等

关键词：Sb 掺杂 SnO2 锑 纳米粉体 结晶行为 电学性能 半导体材料 二氧化锡 非均相成核法

机构： 华东理工大学化学系，上海200237

摘要： 采用非均相成核法制备了Sb掺杂的SnO2（ATO）纳米粉体。研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系。应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能。结果表明，晶粒生长分为2个阶段，其活化能分别为21．94和4．52kJ/mol。

出处：应用化学.2002,19(6).-552-555