纳米Si/C/N复相粉体的微波吸收特性

编号：FTJS00285

篇名：纳米Si/C/N复相粉体的微波吸收特性

作者：赵东林 周万城

关键词：纳米Si/C/N复相粉体 微波吸收特性 微观结构 界面作用 双反应室激光气相合成

机构： 西北工业大学凝因技术国家重点实验室，西安710072

摘要： 采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置，以六甲基二硅胺烷（Me2Si）2NH）（Me：CH2）为原料合成了纳米Si/C/N复相粉体，粉径为20nm～30nm，研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2GHz～18GHz的微波吸收特性，结果表明：纳米Si/C/N复相粉体介电常数的实部（ε′）和虚部（ε″）在8.2GHz～18GHz随频率增大而减不，介电损耗(thδ=ε″/ε′）较高，是较为理想的微波吸收材料，纳米Si/C/N复相粉体在不同基体中的微波吸收特性出现很大差异。纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子，形成大量带电缺陷，极化弛豫是吸收微波的主要原因，根据纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的实测介电参数，设计出多组在8GHz～18GHz范围内微波反射系数R≤-8dB的吸波涂层结构。

出处：复合材料学报.2002,19(2).-65-70