基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

编号：NMJS02678

篇名：基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

作者：杨潇楠； 王永； 张满红； 张博； 刘明；

关键词：硅纳米晶； 非挥发存储器； 存储特性； 耐受性； 数据保持；

机构： 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室； 上海宏力半导体制造有限公司；

摘要： 硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。