ZnO/Zn_2SnO_4纳米电缆结构表征与发光特性

编号：NMJS02633

篇名：ZnO/Zn_2SnO_4纳米电缆结构表征与发光特性

作者：周茹莉； 孔向阳；

关键词：ZnO/Zn2SnO4； 纳米电缆； 合成； 发光特性；

机构： 上海交通大学材料科学与工程学院汽车动力电池材料研究所；

摘要： ZnO、Zn2SnO4均为直接带隙宽禁带氧化物半导体,是优异的功能材料.以ZnO、SnO2为原料,通过共热蒸发法,合成了ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构.该纳米电缆结构为以ZnO为芯,Zn2SnO4为鞘,直径为50~100nm,长度可达上百微米.通过TEM分析手段,发现该纳米电缆结构中,ZnO的生长方向为<0001>方向,ZnO芯与Zn2SnO4鞘之间形成晶格外延关系.室温下光致发光谱结果显示,该纳米电缆结构在紫外区域(380.58nm附近处)存在很强的带边发光,而在可见光区域没有明显的发光带,这一结果表明:Zn2SnO4鞘层的存在能有效抑制ZnO表面的缺陷发光.ZnO/Zn2SnO4纳米电缆结构可以抑制电子-空穴的复合,在染料敏化太阳能电池等方面有一定的应用潜力.