碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较

编号：NMJS02612

篇名：碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的比较

作者：周海亮； 赵天磊； 张民选； 郝跃；

关键词：碳纳米管场效应管； 尺寸缩小特性； 带间隧穿； 非平衡格林函数； 量子电容；

机构： 国防科技大学计算机学院； 西安电子科技大学微电子学院；

摘要： 由于具有更为显著的量子隧穿效应,碳纳米管场效应管具有较硅基MOS管不同的尺寸缩小特性,同时,由于工作机理的不同,类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs:Conventional MOS-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors)的尺寸缩小特性与隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs)也不尽相同。器件尺寸缩小特性研究是研究其应用前景的重要方式,而之前对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的研究并没考虑带间隧穿对碳纳米管场效应管尺寸缩小特性的影响。采用非平衡格林函数方法,对比研究了带间隧穿对C-CNFETs与T-CNFETs尺寸缩小特性的影响。研究结果表明两者存在较大差异、甚至截然相反的尺寸缩小特性。有利于为碳纳米管场效应管器件设计提供重要指导,以获取面积、速度、功耗之间的合理折中。