利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

编号：NMJS02584

篇名：利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

作者：杨国锋； 陈鹏； 于治国； 刘斌； 谢自力； 修向前； 韩平； 赵红； 华雪梅； 张荣； 郑有炓；

关键词：氮化镓； 镍纳米岛模板； 电感耦合等离子刻蚀； 半极性面； 氮化镓纳米柱；

机构： 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室； 南京大学扬州光电研究院；

摘要： 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。