纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文)

编号：NMJS02410

篇名：纳米双栅MOSFET栅极漏电流的二维量子模拟(英文)

作者：唐睿； 王豪； 常胜； 胡月； 王高峰；

关键词：非平衡格林函数(NEGF)； 量子效应； 数值模拟； 双栅MOSFET； 栅极漏电流；

机构： 武汉大学物理科学与技术学院； 武汉大学微电子与信息技术研究院；

摘要： 基于非平衡格林函数(NEGF)的量子输运理论框架,对双栅MOSFET进行了二维实空间数值模拟。在对表征载流子电势的泊松方程自洽求解后,感兴趣的物理量(如亚阈值摆幅、漏致势垒下降、载流子密度、电流密度等)可以被求得,观察了由栅极注入效应导致的二维电荷分布,并对不同电介质材料对栅极漏电流的影响进行了研究。此外,还通过调整电介质参数并进行比较的方法,研究了电介质的有效质量、介电常数、导带偏移对栅极漏电流的影响。该模拟方法为双栅MOSFET中载流子自栅极的注入提供了良好的物理图景,对器件特性的分析和比较有助于栅氧层高k电介质材料的选取。