Co-C纳米复合薄膜的微结构、磁性能和磁输运特性

编号：NMJS01739

篇名：Co-C纳米复合薄膜的微结构、磁性能和磁输运特性

作者：唐瑞鹤； 杨志刚； 张弛； 杨白； 刘晓芳； 于荣海；

关键词： Co-C纳米复合薄膜； 退火； 微结构； 磁输运特性； 磁性能；

机构： 清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室； 北京航空航天大学材料科学与工程学院；

摘要： 采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜.在真空条件下,对薄膜进行退火处理,退火温度从473K逐步提高至773K,保温时间30min.形貌观察表明,未经退火处理的薄膜中,Co颗粒均匀分布在非晶C基体中,Co颗粒尺寸为1.5-3.0nm;673K退火后,Co颗粒尺寸增大.磁性能测试表明,未经退火处理的薄膜磁性较弱,随着退火温度升高,薄膜的磁化强度和矫顽力均明显增大;当退火温度增加至673—773K时,薄膜呈现出低温铁磁性、室温超顺磁性的典型颗粒体系磁性特征.磁输运特性研究表明,未经退火处理的薄膜在温度为4.2K,磁场为3980kA/m时表现出1.33%的负磁电阻,随着退火温度升高,样品磁电阻值下降;电阻与温度关系在4.2—60K范围内符合lnR-T-1/4线性关系,磁输运遵循变程跳跃（variable range hopping）传导机制. 更多还原