氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线

编号：NMJS01382

篇名：氨化Ga_2O_3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线

作者：李琰; 王朋伟; 孙杨慧; 高靖云; 赵清; 俞大鹏;

关键词：化学气相沉积法; 氮化镓; 纳米线; 生长条件;

机构： 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室;

摘要： 在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线。运用SEM,TEM,XRD以及Raman,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质。最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据。