Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

编号：NMJS07018

篇名：Ar等离子体处理对GaAs纳米线发光特性的影响

作者：高美 李浩林 王登魁 王新伟 方铉 房丹 唐吉龙 王晓华 魏志鹏

关键词： 光谱学 GaAs纳米线 Ar等离子体处理 光致发光 缺陷 偏压功率

机构： 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 长春理工大学材料科学与工程学院

摘要： 采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功率增加,GaAs自由激子发光逐渐消失,束缚激子发光强度先减小后增大;当功率增加到200 W时,出现施主-受主对(DAP)发光。通过对比不同样品在283℃下的发光光谱,得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化:当处理功率较小时,Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中;当处理功率较大时,GaAs的晶体结构遭到破坏,形成施主类型的缺陷,出现DAP发光。