不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试

编号：NMJS06548

篇名：不同沉积层的纳米波导谐振腔特性测试

作者：臧俊斌[1,2] ;赵国英[1] ;韦丽萍[2] ;薛晨阳[2]

关键词： 光电器件 片上系统 纳米光波导 微环谐振腔

机构： [1]中北大学(朔州校区),山西朔州036000; [2]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051

摘要： 为确定硅基片上系统半导体光电器件集成中绝缘层材料对器件整体性能的影响,设计并制备了带有覆层的纳米波导谐振腔.谐振透射谱功率测试表明顶层覆盖Si_3N_4薄膜和SiO_2薄膜绝缘层没有削弱环形谐振腔的品质因素,沉积后的最佳耦合间距为70~110 nm.覆层为SiO_2时谐振点波长附近的谐振峰消光比达16.5 dB,3 dB带宽为0.12 nm;覆层为Si_3N_4时谐振点波长附近的谐振峰消光比达13.9 dB,3 dB带宽为0.18 nm.该研究为片上系统集成设计中最佳绝缘层材料的选择提供参考.