不同浓度氮气对于MPCVD法生长纳米金刚石薄膜的影响

编号：NMJS06495

篇名：不同浓度氮气对于MPCVD法生长纳米金刚石薄膜的影响

作者：王小安[1] ;汪建华[1,2] ;孙祁[1] ;黄平[1]

关键词： 微波等离子体 化学气相沉积 纳米金刚石 氮气

机构： [1]武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北武汉430074; [2]中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031

摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积法，以N2／H2／CH4为气源，通过改变反应气氛中的Nz浓度（10％～30％）制备了金刚石薄膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、x射线衍射仪等设备对金刚石薄膜的表面形貌、晶粒尺寸以及薄膜质量进行了分析，研究了不同浓度氮气对于沉积金刚石薄膜的影响，结果表明：当氮气浓度低于30％时，沉积的金刚石薄膜晶粒尺寸变化不明显，表面平整度较好，氮气浓度达到30％时，金刚石晶粒增大，缺陷增加；随着氮气浓度增加，薄膜中金刚石相含量下降，同时，金刚石趋向于（111）面优先生长。