方波脉冲下聚酰亚胺/纳米复合薄膜耐电晕特性研究

编号：CPJS05600

篇名：方波脉冲下聚酰亚胺/纳米复合薄膜耐电晕特性研究

作者：吴旭辉 ;高国强 ;魏文赋 ;钟鑫 ;张兴涛 ;吴广宁

关键词： 聚酰亚胺 纳米复合薄膜 红外光谱分析 扫描电镜 耐电晕

机构： 西南交通大学电气工程学院,四川成都610031

摘要： 本文为探究在方波脉冲下聚酰亚胺（polyimide,PI）/纳米复合薄膜的耐电晕特性,采用原位聚合法制备了纯膜和掺杂纳米氧化铝的复合薄膜,通过傅里叶红外光谱（FTIR）技术分析了薄膜的化学结构,测量了纯膜和纳米膜的表面电阻率,并在重复方波脉冲下进行耐电晕实验,最后运用扫描电子显微镜（SEM）分析电晕击穿前后薄膜的微观形态。实验结果表明：纯膜和纳米膜的耐电晕时间都会随着电压的升高而降低,并且在同一电压下,纳米膜的耐电晕特性优于纯膜。通过测试分析,从纳米粒子和聚合物基体间形成的界面、薄膜表面电荷分布、薄膜试样击穿过程3个方面对纳米薄膜优异的耐电晕特性给出了解释。