L-半胱氨酸法制备银纳米线材料及其电化学性能

编号：NMJS06293

篇名：L-半胱氨酸法制备银纳米线材料及其电化学性能

作者：苗智颖[1] ;秦霞[2] ;邵学广[1] ;陈强[3]

关键词： 银纳米线 L-半胱氨酸 电化学性能 无酶传感器

机构： [1]南开大学药物化学生物学国家重点实验室,天津300071; [2]曲阜师范大学地理与旅游学院,日照276826; [3]南开大学生物活性材料教育部重点实验室,天津300071

摘要： 为了加快银纳米线材料的合成速度，在制备过程中利用L-半胱氨酸作为反应过程中形成Ag2S胶体的硫源，将合成银纳米线的前驱体硝酸银的浓度提高到了1mol／L，利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的银纳米线材料进行了表征，利用循环伏安法和电化学阻抗法对银纳米线修饰的铂电极电化学性能进行了研究．结果表明：L-半胱氨酸的引入可以明显降低体系中硝酸的浓度，提高银纳米线的产量，使得银纳米线的合成时间降低到20min；电化学实验结果表明：制备的银纳米线材料具备良好的电子传递能力、较大的比表面积和较强的电化学性能，利用这些特点有望改善无酶传感器的性能．