透明Ag纳米线电极的后处理优化及性能

编号：FTJS06708

篇名：透明Ag纳米线电极的后处理优化及性能

作者：马立安[1] ;魏朝晖[1] ;叶晓云[1] ;胡利勤[2] ;郭太良[2]

关键词：银纳米线 透明电极 后处理优化 场发射

机构： [1]福建工程学院材料科学与工程学院,福州350108; [2]福州大学光电技术研究所,福州350002

摘要： 采用优化的多元醇制备工艺,以乙二醇为溶剂和还原剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为表面活性剂,CuCl_2为控制剂,合成了超长的Ag纳米线。利用旋涂工艺在玻璃基板上制作了透明的Ag纳米线薄膜电极,系统研究了退火温度和模压力对Ag纳米线电极透过率及导电性的影响。结果表明,当退火温度为200℃、压力5 MPa时,Ag纳米线在保持光线透过率损失很小的条件下薄膜阻值由3200Ω/□可优化至17Ω/□。薄膜电极导电能力的提高主要源于在较高退火温度和压力双重作用下纳米线外层包裹的PVP层的去除,实现了纳米线交叉点互焊与互联。研究了未处理和预处理工艺对Ag纳米线电极上沉积的ZnO纳米棒的形貌和场发射特性的影响。结果显示：经预处理的透明电极表面沉积的ZnO呈有序棒状排列,而未处理的样品展现出无序形貌;场发射测量显示纳米线电极预处理方法可有效降低ZnO纳米棒开启场强。