新结构InN纳米材料的CVD生长

编号：CPJS05170

篇名：新结构InN纳米材料的CVD生长

作者：刘敏 ;黄静雯 ;楚士晋 ;彭汝芳

关键词：化学气相沉积法 InN纳米叶 晶体结构 光致发光谱

机构： 西南科技大学四川非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,四川绵阳621010

摘要： 采用化学气相沉积法在p型硅衬底上制备具有纤锌矿结构的不同形貌的InN纳米材料,通过扫描电子显微镜和X射线衍射分析了InN纳米材料的形貌、元素组成及晶体结构,发现该材料具有纳米线、纳米叶、纳米项链3种结构,其中纳米叶是InN中的一种新型结构材料,且未见报道。能谱扫描检测确定氮铟原子质量比约为1：1.07。在室温下光致发光谱的测试中,经计算可得InN纳米材料的带隙为0.725eV,同时InN纳米叶的发光强度优于纳米线与纳米项链,表明新型纳米叶结构具有更优异的光学性能。