后处理方法对纳米介孔SiO2形貌结构的影响

编号：NMJS05563

篇名：后处理方法对纳米介孔SiO2形貌结构的影响

作者：杨应娟[1,2] ;何文涛[2] ;黄金[1,2] ;于杰[1,2]

关键词：结构形貌 回流法 煅烧法 纳米介孔二氧化硅

机构： [1]贵州大学材料与冶金学院,贵阳550025; [2]国家复合改性聚合物材料工程技术研究中心,贵阳550014

摘要： 采用十四烷基三甲基溴化铵作为表面活性剂,四乙氧基硅烷（TEOS）为无机硅源,在碱性条件下合成纳米介孔SiO2（MSN）,并采用回流和煅烧两种不同的后处理方法去除表面活性剂,探讨了不同的后处理方法对纳米介孔SiO2结构形貌的的影响。通过红外、小角X射线衍射、低温N2吸附与脱附以及透射电镜检测。实验表明：回流和煅烧都能得到粒径在100nm左右的圆球状的介孔SiO2,煅烧得到的纳米介孔SiO2的BET比表面积、BJH孔径和孔容均大于回流法得到的样品,且通过小角XRD显示,煅烧得到的材料具有一定的长程有序性,而回流法得到的材料则是完全无序的,并通过TEM证实,煅烧比回流得到的样品的孔结构清晰,有序度高。