二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究

编号：CPJS03936

篇名：二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究

作者：李玉国[1] ;刘永峰[1] ;王玉萍[1] ;王宇[1] ;方香[1]

关键词：SIO2 纳米结构 溅射 光致发光

机构： [1]山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南250014

摘要： 采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜（SEM）,X射线光电子能谱（XPS）和傅里叶红外吸收谱（FTIR）对上述纳米结构进行结构表征。用荧光光谱仪（PL）对其光致发光特性进行了研究。结果表明在激发波长为325nm时,在394nm处出现一个发光峰,表现出良好的发光特性。