编号:NMJS05071
篇名:形貌可控的CdS微米/纳米结构的表征和发光性能(英文)
作者:刘洪超; 祁小四; 邓朝勇;
关键词:CdS纳米带; CdS纳米棒; CdS微米柱; 热蒸发; 发光性能;
机构: 贵州大学贵州省电子功能复合材料特色重点实验室; 贵州大学理学院;
摘要: 利用简单的热蒸发CdS粉末方法,可合成出高质量的CdS微米柱。通过调控Si衬底上Au膜的厚度,能够大面积合成出尺寸均一的CdS纳米带和纳米棒。系统地研究了所合成样品的相、微结构和光致发光特性。室温下样品的发光结果表明可在所合成CdS微米柱上观察到位于约512 nm对应于其带隙的强发光峰。与CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS纳米带和纳米棒样品上分别观测到位于约521和543 nm,528和550 nm处对应于带边附近的发射强峰。并且,所合成的CdS纳米带和纳米棒展现出位于约710和712 nm位置处的宽峰,该峰的出现与结构缺陷、离子缺陷或杂质有关。与CdS纳米带的发光性能相比,所合成的CdS纳米棒表现出增强的发光性能。