模板电沉积制备一维钴纳米材料的生长机制

编号：FTJS04463

篇名：模板电沉积制备一维钴纳米材料的生长机制

作者：李成； 陈铭明； 金学军；

关键词：模板电沉积； 纳米材料； 生长机制；

机构： 上海交通大学材料科学与工程学院；

摘要： 研究通过控制直流沉积,在阳极氧化铝(AAO)模板中获得高填充率的钴纳米线、纳米管混合物,其平均直径50 nm。并对这种混合物的形成机制做出了初步探讨。