纳米线多型异质结碳化硅室温单电子晶体管研究

编号：NMJS04878

篇名：纳米线多型异质结碳化硅室温单电子晶体管研究

作者：张洪涛； 詹云峰； Georg Bastian； Uli Lemmer

关键词：室温单电子晶体管； 纳米线； 碳化硅； 多型异质结构； 库仑阻塞效应

机构： 湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系； 湖北工业大学电气与电子工程学院纳米电子技术与微系统实验室； Hochschule-Rhein-Waal； Universitat Karlsruhe(TH)

摘要： 采用碳化硅4H/6H多型纳米线制备单电子晶体管,在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻,I-V曲线呈现典型的库仑台阶,其台阶为周期性的,这些周期性小台阶,又呈现非周期的嵌套结构。单根纳米线碳化硅由4H/6H多型交替生长构成,它们嵌合构成竹节状生长,碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒,其直径为10~80nm,长度约50nm。而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20nm,且直径较细(约10~35nm),被认为是库仑孤岛。