电化学沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的研究

编号：NMJS04805

篇名：电化学沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的研究

作者：米龙飞； 赵艳猛； 孙大鹏； 蒋阳

关键词：电化学沉积； ZnO； 纳米棒阵列； 工艺条件

机构： 合肥工业大学材料科学与工程学院

摘要： 通过对不同沉积电压与沉积时间的研究,确定了电化学沉积ZnO纳米棒阵列的最佳工艺条件。在-0.5V沉积电压下沉积20h制备出了ZnO纳米棒阵列薄膜,研究结果表明:纳米棒阵列均匀致密,直径在200nm左右,并且具有高度的c轴择优取向。