编号:NMJS04787
篇名:液相脉冲放电制备β-SiC纳米颗粒及其光致发光
作者:杜凯; 魏荣慧; 魏世忠; 杨海滨;
关键词:纳米结构; SiC; 半导体; 光致发光;
机构: 河南科技大学物理与工程学院; 河南科技大学河南省耐磨材料工程技术研究中心; 吉林大学超硬材料国家重点实验室;
摘要: 采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒,研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400nm和470 nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心,而470nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关。