熔盐电解SiO_2/C直接制备SiC纳米线

编号：NMJS04432

篇名：熔盐电解SiO_2/C直接制备SiC纳米线

作者：赵春荣； 杨娟玉； 卢世刚；

关键词：SiC纳米线； 电解还原； 二氧化硅； 酚醛树脂；

机构： 京有色金属研究总院；

摘要： 采用纳米SiO2和酚醛树脂为原料制备酚醛树脂裂解碳纳米SiO2复合阴极(硅碳物质的量的比为1∶1),直接电解PFC/SiO2复合阴极,在900℃熔融盐CaCl2中,恒槽压2.0 V下电解,制备出碳化硅纳米线。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及其附带的能谱仪、X射线分析衍射仪(XRD)和拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明:碳化硅纳米线呈立方晶体结构,其直径为4～13 nm,长可达数微米;室温下该纳米线在415 nm和534 nm附近有宽的发光峰。最后,讨论了碳化硅纳米线的生成机制。