纳米中心拓扑晶态绝缘体碲化锡纳米线研究获得新进展展

编号：NMJS04410

篇名：纳米中心拓扑晶态绝缘体碲化锡纳米线研究获得新进展展

作者：

关键词：纳米线； 绝缘体； 拓扑； 表面态； 纳米级； 自旋电子器件； 纳米结构； 化学气相沉淀法； 比表面积； 首次通过

机构： 国家纳米科学中心

摘要： <正>低维纳米结构的比表面积大,可以有效的降低体相传输对表面的干扰作用因而增强表面态效应,更重要的是一维拓扑绝缘体在一维纳米级的自旋电子器件领域扮演这重要的角色。国家纳米科学中心何军课题组使用化学气相沉淀法首次合成了高质量的单晶碲化锡纳米线,并首次通过量子振荡测试观察到了它的拓扑表面态。基于碲化锡纳米线的四端器件,Aharonov-Bohm(AB)干涉效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡被观察到,它们证实了碲化锡纳米线高对称性表面Dirac电子的存在。