B/N掺杂对于石墨烯纳米片电子输运的影响

编号：NMJS03865

篇名：B/N掺杂对于石墨烯纳米片电子输运的影响

作者：邓小清； 杨昌虎； 张华林；

关键词：石墨烯纳米片； 电子输运； 整流行为； 非平衡格林函数方法；

机构： 长沙理工大学物理与电子科学学院；

摘要： 选用锯齿(zigzag)型石墨烯纳米片为研究对象,Au作为电极,分子平面与Au的(111)面垂直,并通过末端S原子化学吸附于金属表面,构成两种分子器件:一种是在纳米片的边缘掺杂N(B)原子,发现电流-电压具有非线性行为,但是整流系数较小,特别是掺杂较多时,整流具有不稳定性;另一种是用烷链把两个石墨烯片连接,在烷链附近和石墨烯片的边缘进行N(B)掺杂,发现在烷链附近掺杂具有较大的整流,但是掺杂的原子个数和位置会影响整流性能.研究表明:整流主要为正负电压下分子能级的移动方向和空间轨道分布不同导致.部分体系中的负微分电阻现象主要由于偏压导致能级移动和透射峰形态的改变,并且在某些偏压下主要透射通道被抑制而引起。