静电纺丝制备La3Si8O4N11:Ln(Ln=Ce3+、Sm3+)纳米纤维及其发光性能研究

编号：NMJS03747

篇名：静电纺丝制备La3Si8O4N11:Ln(Ln=Ce3+、Sm3+)纳米纤维及其发光性能研究

作者：丁狄； 王宏志； 李耀刚； 张青红；

关键词：静电纺丝； 荧光； 氧氮化物

机构： 东华大学纤维材料改性国家重点实验室,材料科学与工程学院

摘要： 采用静电纺丝结合氨气高温气相还原的方法制备了Ce3+掺杂和Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维和微米带薄膜。XRD、FE-SEM、EDX和PL等测试方法对材料进行表征。样品在1400℃下保温9 h后的XRD图谱与La3Si8O4N11的标准卡片吻合,Sm3+和Ce3+的掺杂没有改变La3Si8O4N11的晶型。样品在宏观上仍保持薄膜状态。在343 nm附近紫外光的激发下,Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在450 nm附近呈现出一个宽发射峰来自于Ce3+5d-4f电子跃迁的发射。Ce3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维的衰减曲线为双衰减曲线,荧光寿命分别为8.27和32.72 ns。而Sm3+掺杂的La3Si8O4N11纳米纤维在409 nm的近紫外光的激发下,在575、600、610和650 nm处存在四个尖锐的窄峰来自于Sm3+的4f-4f电子跃迁的发射。