硫化铋准纳米带阵列的可控合成及光学性质

编号：NMJS03596

篇名：硫化铋准纳米带阵列的可控合成及光学性质

作者：唐春娟； 戴建广； 张永胜； 李广海； 石冬梅；

关键词：硫化铋； 准纳米带阵列； 光学性质； 水热法；

机构： 洛阳理工学院数理部； 中国科学院固体物理研究所纳米材料与结构研究室； 洛阳理工学院材料科学与工程系；

摘要： 以五水硝酸铋和硫脲为原料,采用籽晶技术和水热相结合的方法,在涂籽晶层的硅片上制备了大面积Bi2S3准纳米带阵列。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和电子衍射等对产物的结构和形貌进行表征。结果表明,合成产物为纯正交相的纯Bi2S3,纳米带阵列中的纳米带宽约为130nm,长约2μm,并且沿[130]方向优先生长。使用涂有Bi2S3纳米籽晶的衬底是生长大规模准纳米带阵列的必要条件,衬底在高压釜中放置高度影响产物的形貌。Bi2S3准纳米带阵列的形成机理与自组装生长和Bi2S3的各向异性生长相关。产物的荧光光谱为从650nm到800nm的红光区域宽发光带,是由Bi2S3准纳米带阵列结构中的复杂缺陷导致的。