利用SiO2的表面化学修饰提高纳米SnO2的热稳定性

编号：NMJS03500

篇名：利用SiO2的表面化学修饰提高纳米SnO2的热稳定性

作者：詹自力； 司莉粉； 李广伟； 郭雪原； 周志玉

关键词：SnO2； 表面修饰； 热稳定性； 晶界移动； 气敏材料

机构： 郑州大学化工与能源学院

摘要： 以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)为表面修饰剂,利用乙氧基与SnO2表面羟基之间的化学反应,将SiO2化学接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒热生长。采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技术对改性后纳米SnO2进行结构表征。结果表明,SiO2通过Sn—O—Si化学键与SnO2相连接,SiO2被高度分散于SnO2表面。经1000℃高温煅烧后,SnO2平均粒径改性前后分别为95和10nm。SiO2作为第二相,阻碍了晶界的移动,增加了晶粒生长活化能,从而有效地限制了晶粒高温生长,提高了纳米SnO2的热稳定性。 更多还原